Zasloni LCD so iz več plasti. Pod plastjo tekočih kristalov je aktivna plast s tranzistorji, ki vplivajo na orientacijo kristalov, s tem pa na to, ali skozi piko pronica svetloba (pika je svetla) ali ne (pika je črna). Piko, kot jo razumemo, sestavljajo tri (pod)pike, vsaka za eno od treh osnovnih barv (RGB). Zato so pod eno piko, kot jo razumemo, trije tranzistorji. Z večanjem ločljivosti zaslona, kar pomeni, da je na zaslonu več pik, te postajajo manjše. Manjši pa morajo biti tudi tranzistorji pod pikami. Dodatna težava je, da tranzistor v aktivni plasti ni prozoren, torej mora biti še toliko manjši od velikosti pike, da čim manj ovira pot svetlobe skoznjo. V nasprotju s tranzistorji v čipih, ki so iz urejenega kristaliziranega silicija, so tranzistorji v zaslonih iz neurejenega, amorfnega. To pa zato, ker sta nanašanje amorfnega silicija na stekleno ploščo in »gradnja« TFT-plasti cenejša. Amorfni silicij slabše prevaja električni tok, zato tranzistor iz njega potrebuje višjo napetost. Hkrati njegovo manjšanje povzroči problem uhajanja elektronov, ki je izrazitejši kot pri tranzistorjih iz kristalnega silicija. Amorfni tranzistor, ki je delno iz snovi IGZO, ne dosega zmogljivosti polikristalnega (snov, sestavljena iz več kristalov, ne iz enega), je pa občutno zmogljivejši od čistega amorfnega.

Amorfni silicij nima urejene strukture atomov, zato ima izrazito nižjo »prepustnost« elektronov (nižjo mobilnost elektronov). Pri »običajnih« zaslonih tja do ločljivosti HD to ne predstavlja problema, saj je pika fizično dovolj velika, da je pod njo primerno velik tranzistor. Tranzistor pod piko ima samo eno funkcijo, prevaja ali ne prevaja, deluje kot »stikalo«, ki iz enega stanja v drugo preklopi v 16 milisekundah (frekvenca 60 Hz). Tranzistor je vklopljen, je v stanju »vklopa«, ko je na kontrolnih vratih električna napetost. Ta odpre predor med izvorom in ponorom, skozi katerega se premikajo elektroni (teče električni tok). Zaradi nižje mobilnosti elektronov predor pri amorfnem tranzistorju odpre višja napetost kot na primer pri tranzistorju s kristalno strukturo. Če pa ima amorfni tranzistor plast, v kateri nastane predor, iz zmesi IGZO, predor ustvari tudi nižjo napetost, saj ima ta zmes višjo mobilnost elektronov.

Alternativno je mogoče tudi, da je omenjena plast iz polikristalnega silicija, ki ima še veliko višjo mobilnost elektronov. Namesto prednosti to postane problem pri manjšanju tranzistorjev, čemur smo priča pri zaslonih ultra visoke ločljivosti. Namreč, manjši kot je tranzistor, večja je verjetnost »uhajanja« elektronov, kar pomeni, da tranzistor prevaja, tudi ko je »izklopljen«. To je mogoče rešiti le z višanjem frekvence osveževanja zaslona, ki »popravi« morebitne nepravilne »prikaze« pik (neželeno delovanje tranzistorja). Pri zmesi IGZO, ravno zaradi natančno pravšnje mobilnosti, uhajanje elektronov nima večje vloge. Zaradi tega je poraba energije nižja, saj ni potrebna tako visoka frekvenca osveževanja, v primerjavi z amorfnim tranzistorjem pa je poraba nižja zato, ker je za krmiljenje tranzistorja potrebna nižja napetost. Zasloni s snovjo IGZO lahko krajši čas prikazujejo sliko na zaslonu, tudi ko je aktivna plast TFT izključena. Sharp naj bi po lastnih podatkih dosegel zmanjšanje potrebne frekvence osveževanja s 60 na 25 Hz, kar je pomembno, saj lahko zaradi tega tipala zaznave dotika delujejo bolj natančno (osveževanje vpliva na njihovo delovanje).

Kljub prednostim snovi IGZO pa ni jasno, kdaj naj bi taki zasloni prišli na trg. Trenutno so vgrajeni le v izdelke podjetja Sharp in v nekatere za trg manj zanimive izdelke. Konkurenca se je namreč odločila za nekoliko dražji pristop polikristalne plasti v tranzistorju (LTPS). Govori pa se, da o vgradnji teh zaslonov v svoje prihodnje izdelke razmišlja Apple. Zaslon mobilne naprave je večji porabnik energije in vsako zmanjšanje te bi pomenilo daljše trajanje baterije.

Moj mikro, november december 2013 | Jan Kosmač