Sharpova tehnologija IGZO – oksid iz indija, galija in cinka – zmanjša omejitve zaslonov ultra visoke ločljivosti (UHD), saj so zasloni ostrejši, imajo večji barvni razpon in porabijo manj energije. Zmes je del tranzistorjev v aktivni plasti zaslona (TFT-plast), ki nadzirajo pike. Amorfni silicij slabše prevaja električni tok, zato tranzistor iz njega potrebuje višjo napetost. Hkrati njegovo manjšanje povzroči problem uhajanja elektronov, ki je izrazitejši kot pri tranzistorjih iz kristalnega silicija. Amorfni tranzistor, ki je delno iz snovi IGZO, ne dosega zmogljivosti polikristalnega (snov, sestavljena iz več kristalov, ne iz enega), je pa občutno zmogljivejši od čistega amorfnega.