Te ogljikove napravice bodo v prihodnosti zamenjale in po zmogljivostih presegle tehnologijo, ki temelju na siliciju, kar bo omogočilo nadaljnjo miniaturizacijo računalniških komponent. Hiter razvoj in inovacije na področju mikroprocesorske tehnologije, ki temelji na siliciju, so neprestano zmanjševale velikost in povečevale zmogljivost čipov ter tako poganjale revolucijo v IT. Silicijevi tranzistorji, majhna stikala, ki prenašajo informacije znotraj čipa, so z leti postajali vse manjši in so se vse bolj bližali svoji fizikalni meji. Zakoni fizike in lastnosti silicija pri tako majhnih tranzistorjih onemogočajo nadaljnje povečevanje zmogljivosti, zato lahko pričakujemo, da bo že v nekaj generacijah te tehnologije nemogoče doseči opazne prednosti na področju porabe, nižjih stroškov izdelave in zmogljivosti procesorjev.

Ogljikove nanocevke pomenijo novo vrsto polprevodniških materialov, ki se ponašajo z električnimi lastnostmi, ki so še bolj atraktivne kot pri siliciju. Omogočajo izdelavo tranzistorjev velikosti le nekaj deset atomov. Elektroni v tovrstnih tranzistorjih se premikajo veliko lažje kot v silicijevih tranzistorjih, kar omogoča večje hitrosti prenosa podatkov. Tudi oblika nanocevk je v nasprotju s silicijem idealna za uporabo v tranzistorjih. Vse te lastnosti so razlog, da bodo ogljikove nanocevke kmalu zamenjale silicij. Nov pristop, ki so ga razvili v družbi IBM, bo omogočil izdelavo vezij z velikim številom tranzistorjev iz ogljkovih nanocevk na vnaprej določenih mestih v substratu. Sposobnost izoliranja polprevodniških nanocevk in njihovega umeščanja na rezinah z visoko gostoto je kritičnega pomena za uporabnost te tehnologije. Do tega preboja so namreč znanstveniki uspeli postaviti le nekaj sto ogljikovih nanocevk naenkrat, kar pa ni bili niti približno dovolj za zadovoljevanje potreb v komercialni uporabi.