Novo tridimenzionalno tehnologijo NAND sta skupaj razvili podjetji Intel in Micron, pri čemer sta podjetji plasti celic za shranjevanje podatkov izjemno natančno naložili eno na drugo ter za trikrat povečali kapaciteto1 v primerjavi s konkurenčnimi tehnologijami NAND. Tako je mogoče na manjšem prostoru shraniti več podatkov, kar zagotavlja bistveno nižje stroške, nižjo porabo električne energije ter višjo zmogljivost v številnih uporabniških mobilnih napravah ter najbolj zahtevnih poslovnih okoljih.

Dvodimenzionalni pomnilniki NAND flash se bližajo omejitvam v povečevanju kapacitet, kar predstavlja pomemben izziv za proizvajalce pomnilnika. Tridimenzionalna tehnologija NAND bo imela izjemen vpliv, saj bodo lahko proizvajalci rešitev še naprej držali korak z Moorovim zakonom in povečevali zmogljivost ter zniževali stroške svojih izdelkov.

Inovativna arhitektura izdelave
Med najpomembnejšimi vidiki te tehnologije so pomnilniške celice, saj sta Intel in Micron uporabila pomnilniške celice s plavajočimi logičnimi vrati. Gre za pristop, ki se že dolga leta uporablja pri proizvodnji dvodimenzionalnega pomnilnika, to pa je prvi primer uporabe plavajočih logičnih vrat v tridimenzionalnem pomnilniku NAND, kar je bila ključna odločitev, ki omogoča višjo zmogljivost, kakovost in zanesljivost.

Nova tridimenzionalna tehnologija NAND pomnilniške celice naloži vertikalno v 32 plasteh, s čimer je mogoče izdelati pomnilniške čipe z večnivojskimi celicami MLC (kapaciteta 256 Gb) in trinivojskimi celicami TLC (384 Gb), ki po velikosti ustrezajo običajnim ohišjem. Tehnologija omogoča izdelavo diskov SSD v velikosti zavitka žvečilnega gumija s kapaciteto 3,5 TB ter diskov SSD standardne velikosti (2,5 palca) s kapaciteto višjo od 10 TB. Ker so višje kapacitete rezultat vertikalnega nalaganja celic, so lahko posamezne celice bistveno večje. Tako bo mogoče izboljšati tako zmogljivost kot tudi vzdržljivost in celo pomnilnik s trinivojskimi celicami uporabljati v podatkovnih centrih

Ključne lastnosti tridimenzionalnega pomnilnika NAND vključujejo:
• Večje kapacitete – Trikrat večje kapacitete od obstoječe tridimenzionalne tehnologije1 - do 48 GB prostora na čipu NAND. Tako lahko proizvajalci v ohišje velikosti konice prsta vgradijo do 750 GB pomnilnika.
• Nižji stroški na GB – Prva generacija tridimenzionalnega pomnilnika NAND je bolj stroškovno učinkovita od dvodimenzionalnega pomnilnika.
• Hitrost – Visoke hitrosti zapisovanja in branja, velika pasovna širina ter višja zmogljivost pri naključnem branju.
• Prijaznost do okolja– Novi načini spanja omogočajo nižjo porabo električne energije, saj prekinejo napajanje nedejavnih čipov NAND (tudi ob istočasnem delovanju drugih čipov v istem ohišju), kar bistveno zmanjša porabo v stanju pripravljenosti.
• Inteligentna rešitev – Inovativne nove možnosti zmanjšajo zakasnitve in izboljšajo vzdržljivost v primerjavi s prejšnjimi generacijami ter olajšajo integracijo v računalniške sisteme.

Različico pomnilnika MLC s kapaciteto 256 Gb izbrani partnerji že preizkušajo, različica TLC s kapaciteto 384 Gb pa bo za preizkušanje na voljo kasneje spomladi. Tovarne že izdelujejo začetne serije, obe napravi pa bosta v proizvodnji do zadnjega četrtletja letošnjega leta. Obe podjetji prav tako razvijata posamezne rešitve SSD, ki temeljijo na tridimenzionalni tehnologiji NAND in bodo predvidoma na voljo naslednje leto.