Znanstveniki po vsem svetu poskušajo z uporabo grafena – ene od vrst grafita, nadomestiti silicij kot klasično osnovo tranzistorjev. Grafen je dvodimenzionalna, satovju podobna zgradba ogljikovih atomov, ki je videti približno tako kot žična ograja v velikosti nekaj atomov. Zaradi obetajočih električnih lastnosti bi bil grafen popolna zamenjava za silicij v čipih. Žal pa so vsi raziskovalci naleteli na težavo zaradi Hoogeovega pravila, ki pravi, da se z zmanjševanjem velikosti vezja povečuje šum, ki nastaja zaradi preskakovanj elektronov in povzroča motnje v vezju. IBM ovi znanstveniki so prvi na svetu odkrili način, kako preprečiti neželeno interferenco električnih signalov pri zmanjševanju vezij iz grafena. Po besedah IBM ovega raziskovalca dr. Phaedona Avourisa se z zmanjševanjem vezij v rang nanometra dimenzije med prevodniki toliko zmanjšajo, da lahko šum »preglasi« koristen električni signal. Temu šumu so se IBM ovi znanstveniki izognili z izdelavo vezja, ki je sestavljeno iz dveh slojev grafena. Dva sloja grafena, položena drug čez drugega, ustvarita trdno električno vez, ki deluje kot protiutež šumu, sloja pa delujeta kot nekakšen izolator šuma. Z uporabo dvoslojnih trakov grafena bo mogoče izdelati polprevodnike za uporabo v senzorjih, komunikacijskih napravah in računalnikih. IBM ovi znanstveniki so odkritje objavili v znanstveni publikaciji Nano Letters.
