Od devetdesetih let prejšnjega stoletja je v razvoju oziroma v omejeni rabi še nekaj tehnologij stalnih pomnilnikov. Vsi po vrsti so namenjeni zamenjavi za bliskovni pomnilnik, oziroma natančneje, izničenju njegovih največjih slabosti, kot so razmeroma visoka napetost, potrebna za zapis in izbris podatka v celici, nizka hitrost zapisa in razmeroma majhno število zapisov v eno celico.

Daleč v sredini prejšnjega stoletja, točneje, leta 1960, je Stanford Ovshinsky raziskoval lastnosti halkogenega stekla, s ciljem oblikovati tehnologijo pomnilnikov. Deset let pozneje je članek o fazno spremenjenem pomnilniku objavil Gordon Moore (soustanovitelj Intela in oblikovalec znanega Moorovega zakona). Teoretične osnove tehnologije so torej že dolgo znane, pomnilnikov pa na trgu še ni, saj so bile do zdaj težave, povezane s kakovostjo materiala in porabo energijo, preprosto prevelike. Druge tehnologije pomnilnikov so se izkazale za ekonomsko učinkovitejše.